UI-9611Volnic伏達 UI9611 MOS管分選儀的詳細資料：

  Volnic伏達 UI9611 MOS管分選儀

◆ 測量參數：開啟電壓，內阻，跨導，耐壓
◆ 測量范圍: UGS(th): 0.1~9.9V, RDS: 0.001~9.999Ω, gm: 0.10~10.00S, V(BR)DS: 50~650V
◆ 測試電流：0.1~5A 連續程控可調 ，模擬不同工況
◆ 可設定上下限，可分檔，超限自動聲光報警

◆ 在大電(dian)流下準確(que)測量內(nei)阻的技術。

  Volnic伏達 UI9611 MOS管分選儀

二． 主要功能和技術指標1． 測量參數:開啟電壓 UGS(th)飽和內阻 RDS跨導 gm耐壓 V(BR)DSR2． 測試條件:? 飽和內阻的電流測試條件 電流 0.100-5.000 數控連續可調? 跨導的電流測試條件 電流 0.100-5.000 數控連續可調? 開啟電壓的電流測試條件 恒流測試，共三個檔，分別為 10.0mA，1.0mA，0.1mA3． 對測試的 gm進行分檔，可顯示批號；對 UGS(th)、RDS、V(BR)DSR進行超限判斷，若不合格蜂鳴器發出訊響，同時指示燈指明哪一項不合格。4． 測試范圍及精度UGS(th)： 0.1 V～9.9 V 精度 2.5%±2 個字RDS： 0.000 Ω～2.500 Ω 精度 2.5%±2 個字gm： 0.00 S～10.0 S 精度 2.5%±3 個字V(BR)DSR： 50 V～650 V 精度 2.5%±3 個字___________________________________________________________________ 伏 達 儀 器- 4 -5． 四窗口數字顯示所測數據，讀數直觀。6． 所有測試、分檔、超限判斷、合格提示等工作，全部由內置電腦自動完成。整個過程只需 1 秒鐘。7． 既適用于實驗室，又適用于生產線快速篩選。三． 基本原理1．開啟電壓 UGS(th)如圖 1 在 MOS 管 G 極上加上一個幅值逐漸增大的電壓，當 ID為 100μA時，MOS 管 G、S 兩端的電壓即為 UGS(th)。2．飽和內阻 RDS如圖 2 所示，MOS 管 G、S 端加一高電平 Ui，使 MOS 管飽和導通，測得D、S 端的電壓 UDS和電流 IDS,飽和內阻 RDS由下式計算所得：RDS= UDS/ IDSGD圖 1+12IDSGD圖 2+12SUDS IDSUi___________________________________________________________________ 伏 達 儀 器- 5 -3．跨導 gm測試gm = ΔIDS/ΔUi 單位：西門子（S）。4．耐壓 V(BR)DSR測試如圖 4 把 G、S 極短接，儀器自動增加高壓值，當漏電流到達 1mA 時所施加的電壓即為耐壓 V(BR)DSR。GD圖 3+12SIDSUiGD圖 4可調高壓S 電流取樣___________________________________________________________________ 伏 達 儀 器- 6 -四． 操作說明在使用本儀器進行測量之前，首先應根據被測 MOS 管的特性，決定該 MOS管的測試條件，若要進行大批量的同規格測試，為提高測試效率，減輕測試人員的工作負擔，建議使用本儀器的分選功能。注意：為得到正確的測量結果，請正確設定參數。在使用本儀器前，請詳細閱讀本章內容。1、儀器前面板2、參數設定本儀器設定參數分為 2 種：測試條件參數設定和分選參數設定。（1）測試條件設定根據被測 MOS 管的特性，決定需要設定哪些參數，并選擇相應的按鍵。? 飽和內阻測試條件：飽和內阻測試應設定 IDS 的電流值。在面板的“測試條件"按鍵區域里，按下 RDS 鍵，進入飽和內阻測試條件設定。儀器顯示為 tc Rds x.xxx –A ,提示進入設定測量飽和內阻時的電流值。修改數據用↑、↓、→三鍵，閃爍位是可修改位，用“↑"、“↓"可使閃爍位數據加減 1，這一位修改完畢，用“→"移動閃爍位，然后繼續使用“↑"、“↓"鍵修改，直到每一位都修改到需要值為止。最后按“ENTER"鍵予以確認，儀器保存該參數，同時RDS UON批 號刷 新ggm0 1m A .1 mA1 0m A gmRDS UON E N T ER R E FR E S HL O T 不合格N GUON gm RDS U PL O FORWARD批 號LO T 測試臺___________________________________________________________________ 伏 達 儀 器- 7 -退出設定。? 跨導測試條件：跨導測試應設定 IDS 的電流值。在面板的“測試條件"按鍵區域里，按下 gm 鍵，進入跨導測試條件的設定。顯示為tc Gfs x.xxx –A ,提示進入設定測試跨導時的電流大小。修改數據用↑、↓、→三鍵，閃爍位是可修改位，用“↑"、“↓"可使閃爍位數據加減 1，這一位修改完畢，用“→"移動閃爍位，然后繼續使用“↑"、“↓"鍵修改，直到每一位都修改到需要值為止。最后按“ENTER"鍵予以確認，并退出設定，當無需修改設定數據時，可直接按下“ENTER"鍵予以確認，儀器保存該參數，同時退出設定。? 開啟電壓測試條件：開啟電壓測試應設定 IDS 的電流值。在面板的“測試條件"按鍵區域里，按 Uon 鍵，觀察電流指示燈的位置，選擇相應的測試電流。（2）分選設定在大批量的測試中，為提高測試效率，往往使用儀器的分選功能。為得到正確的分選結果，必須要對儀器進行正確的參數設定。在儀器面板的“分選判據"按鍵區域里，測得的 4 個參數都可以上下限報警或可分檔，具體如下。其中 gm 為跨導，可分檔，并可上、下限報警UGS(th) 為開啟電壓，上、下限報警RDS 為內阻，上限報警V(BR)DSR 為耐壓，下限報警①開啟電壓 UGS(th)：按 “UON"鍵，進入開啟電壓設定第一步：設定下限。根據篩選要求輸入每位數據，輸入完畢，按“ENTER"鍵確認。下限輸入完畢，儀器進入上限設定。第二步：設定上限。同上設定完畢，按“ENTER"鍵。測試數據在上、下___________________________________________________________________ 伏 達 儀 器- 8 -限之間儀器判斷為合格，否則為不合格。②飽和內阻 RDS設定按 “RDS"鍵，進入 RDS設定狀態，為上限報警。輸入飽和內阻上限值，數據設定完畢后，按“ENTER"鍵后儀器保存數據。③跨導 gm設定按 “gm"鍵，進入 gm 設定狀態，依次輸入各檔的分檔數據，并按“ENTER"鍵確認，完畢時輸入結束符 9.99，并按““ENTER"鍵確認， gm判據設定完成。舉例：某單位對 gm分選做以下要求：小于 1.00 不合格，1.00～1.50 之間為第一檔；1.50～2.00 之間為第二檔，大于 2.00 不合格。根據這一要求，依次輸入 1.00、1.50、2.00、9.99 四個數據。儀器判斷時，小于 1.00，大于 2.00 判為不合格；在 1.00～2.00 之間為合格，并進行分檔。9.99 只是結束符，不作為判據使用。如果某個三極管 gm測試值為 1.30，則儀器顯示批號時顯示為 1，即表示處在 1.00～1.50 之間。④耐壓 V(BR)DSR設定按“VBR(DSR)"鍵，進入耐壓設定狀態, 為下限報警。輸入耐壓下限值，數據設定完畢后，按“ENTER"鍵后儀器保存數據。3、測試操作（1） 確定被測 MOS 管的測試條件已正確設定。（2） 若是大批量測試，確定被測 MOS 管的分選測試已正確設定。（3） 插上 MOS 極管，儀器自動測試 UGS(th)、RDS、gm，如果想測 V(BR)DSR，請按測試盒上的紅色按鍵，儀器就自動測試耐壓。（4） 若希望在測試 gm時顯示批號，請按面板上的“批號"鍵。（5） 當被測 MOS 管插在插座上時，若按刷新鍵，儀器自動重新測量一次。___________________________________________________________________ 伏 達 儀 器- 9 -（6） 當內阻測試明顯超過預定數值時，可能儀器需要清零操作，請按第五章內容進行正確的清零操作。